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    公开号:WO1991004352A1
    申请号:PCT/JP1990/001170
    申请日:1990-09-12
    公开日:1991-04-04
    发明作者:Jiro Ikeda
    申请人:Sony Corporation；
    IPC主号:C23C14-00
    专利说明:
    [0001] 明 細 書 スパッタ リ ング装置及びこれを用いたスパッ夕 リ ング処理システ ム 技 術 分 野 本発明は、 例えば光ディスク等を製造するにあたって、 光デイス i o ク基板に対しアルミ二ユウム等の金属材料をスパッタ リ ングするス パッ夕 リ ング装置及びこの装置を用いたスパッ夕 リ ング処理システ ムに関する。 背 景 技 術
    [0002] 5
    [0003] 従来、 音響信号や画像信号等の所定の情報信号が記録再生できる ように構成された光ディスクが提案されている。 光ディスクは、 例 えばポリカ一ボネー トやアタ リル等の材料からなり ピッ トやグルー ブ等が形成されたディスク基板上にアルミニゥム等の金属材料が反 0 射膜として被着されることにより構成されている。
    [0004] ところで、 金属材料をディスク基板上に被着させるには、 蒸着法 やイオンプレーティ ング法、 あるいはスパッ夕 リ ング法等が挙げら れる。
    [0005] 蒸着処理は、 真空槽中で金属材料 （蒸発源） を加熱することによ 5 つて該金属を蒸発せしめ、 この金属蒸気中に上記ディスク基板を配 置することにより、 金属材料を基板上に被着させるものである。 こ の蒸着処理においては、 金属材料が十分に蒸発するまでは処理を開 始することができないことから、 単位時間あたりの光ディスクの製 造枚数を増加させるためには、 複数枚のディスク基板を収納できる 大きな真空槽を用いて上記金属材料の一度の蒸発によって複数枚の 光ディスクを製造する， いわゆるバッチ方式が採用されている。 こ のため、 装置構成が複雑化するばかりか、 装置自体が大型化され、 設置スペースに制約を受ける。 また、 連続処理が行えないため、 処 理時間の短縮化が難しく、 大幅な生産性の向上が望めない。
    [0006] —方、 イオンプレーティ ング処理は、 上述の蒸着処理と同様に真 空槽中で金属材料を蒸発させるとともに、 この真空槽中にアルゴン 等の放電用ガスを低圧状態に封入し、 電界を印加することにより上 記放電用ガス及び金属蒸気をディスク基板に向かう方向に加速させ て、 上記金属材料を上記ディスク基板に被着させる処理である。 こ のイオンプレーティ ング処理においても、 上記金属材料を蒸発させ るのに上述の蒸着処理と同様の時間を要するため、 単位時間あたり の光ディスクの製造枚数を増加させるにはバッチ方式を採用せざる を得ず、 処理装置の小型化及び処理時間の短縮化は難しい。
    [0007] これに対してスパッ夕リ ング処理は、 短時間で処理が完了し連続 処理が可能でしかも個々のディスク基板に対して同一条件で成膜す ることができるという利点を有し、 大量生産や多品種生産に好適で ある。
    [0008] 上記スパッ夕 リ ング処理は、 ディスク基板と例えばアルミニゥム 等の金属材料 （夕一ゲッ ト） が収納された真空槽中に、 例えばアル ゴン等の放電用ガスを低圧状態に封入し、 当該真空槽中に電界を印 加することにより放電ガスをイオン化し、 イオン化された上記放電 用ガスで金属材料の原子 · 分子を叩き出すという ものである。 すな わち、 真空槽中においては、 上記放電用ガスがイオン化されて上記 金属材料に衝突し該金属材料が飛散され、 この金属材料が上記ディ スク基板に被着されて薄膜を形成する。
    [0009] このスパッタ リ ング処理を行うスパッタ リ ング装置としては、 例 えば第 2 6図に示すように、 いわゆるロー ドロック式のスパッタ リ ング装置がある。 このスパッタ リ ング装置は、 真空槽 1 0 1 を有し、 この真空槽 1 0 1 の略中央部の上方側にスパッタ リ ング処理部 1 0 2が設けられてなる。 上記真空槽 1 0 1 には、 ディスク基板 1 0 3 が当該真空槽 1 0 1 に搬入される搬入口 1 0 1 a と上記ディスク基 板 1 0 3がこの真空槽 1 0 1 より搬出される搬出口 1 0 1 b とが相 対向する側に設けられている。
    [0010] そして、 このスパッタ リ ング装置には、 上記ディスク基板 1 0 3 を搬送する搬送装置 1 0 4が設けられている。 この搬送装置 1 0 4 は、 第 2 6図中矢印 Xで示すように、 上記ディスク基板 1 0 3を上 記真空槽 1 0 1 の外方から上記搬入口 1 0 1 aを介して該真空槽 1 0 1 内に搬入するとともに、 該ディスク基板 1 0 3を上記スパッ夕 リ ング処理部 1 0 2に対向する位置を経て上記搬出口 1 0 1 bを介 して上記真空槽 1 0 1 の外方に搬出するように構成されている。
    [0011] また、 上記真空槽 1 0 1 内には、 複数の開閉バルブ 1 0 5が設け られている。 これら開閉バルブ 1 0 5は、 上記真空槽 1 0 1 内を上 記ディスク基板 1 0 3の搬送方向についてそれぞれ密閉された複数 の小部屋に分割するように構成されている。 この開閉バルブ 1 0 5 は、 上記スパッ夕 リ ング処理部 1 0 2に対応する部分を高い減圧状 態に維持するためのものであり、 上記ディスク基板 1 0 3の搬送操 作に伴って適宜開閉操作される。 これにより、 上記真空槽 1 0 1 内 の各小部屋が所定の気圧に保たれる。 すなわち、 上記真空槽 1 0 1 内においては、 上記搬入口 1 0 1 a及び搬出口 1 0 1 bに近接する 部分は比較的減圧度が低く、 中央部のスパッタ リ ング処理部 1 0 2 が最も高い減圧度となされている。
    [0012] 上記スパッタ リ ング処理部 1 0 2内には、 上記ディスク基板 1 0
    [0013] 3に被着される金属材料 1 0 6が配置されるとともに、 放電用のガ スが低圧状態に封入されている。 また、 このスパッタ リ ング処理部
    [0014] 1 0 2には、 電界を印加するための図示しない電界印加装置が配設 されている。
    [0015] このスパッ夕リ ング装置においては、 上記ディスク基板 1 0 3は、 上記搬入口 1 0 1 aより真空槽 1 0 1 内に搬入され、 この真空槽 1 0 1 内を順次搬送されて減圧度の最も高いスパッ夕リ ング処理部 1 0 2に対向する位置に送られる。 ここで、 上述したスパッタリ ング 処理が行われて、 上記ディスク基板 1 0 3上に上記金属材料の薄膜 が形成される。 このスパッ夕 リ ング処理は、 例えば 2秒ないし 3秒 程度で終了する。 そして、 薄膜が形成された光ディスクは、 順次減 圧度の低い部分に搬送されて、 上記搬出口 1 0 1 bを通して上記真 空槽 1 0 1 の外方に搬出される。
    [0016] また、 ディスク基板 1 0 3にスパッタリ ングを行うスパッタ リ ン グ装置として、 第 2 7図及び第 2 8図に示すように構成されたもの が知られている。 これら第 2 7図及び第 2 8図に示すスパッ夕 リ ン グ装置は、 円筒状をなす真空槽 1 0 7内に支軸 1 0 8 aにより支持 され、 複数枚のディスク基板 1 0 3が載置されて回転操作される搬 送テーブル 1 0 8を備えている。 そして、 上記真空槽 1 0 7の上面 側には、 上記ディスク基板 1 0 3の外形寸法よりやや大径の円形状 のディスク入出口 1 0 7 a と、 このディスク入出口 1 0 7 aに上記 支軸 1 0 8 aを介して略対向する位置に前述したスパッタ リ ング装 置と同様のスパッタ リ ング処理部 1 0 2が設けられている。
    [0017] すなわち、 上記搬送テーブル 1 0 8は、 支軸 1 0 8 aを中心にし て第 2 7図及び第 2 8図中矢印 r方向に回転操作されることにより、 上記ディスク入出口 1 0 7 aから上記真空槽 1 0 7内に搬入された ディスク基板 1 0 3を、 上記スパッ夕 リ ング処理部 1 0 2に対向す る位置まで搬送させる。 そして、 上記搬送テーブル 1 0 8は、 ディ スク基板 1 0 3をスパッタ リ ング処理部 1 0 2に対向する位置まで 搬送したところで一旦停止させられる。 この停止中において、 上記 ディスク基板 1 0 3に対しスパッタリ ング処理が行われ、 このスパ ッ夕 リ ング処理終了後、 再び上記ディスク入出口 1 0 7 aに対応す る位置まで上記ディスク基板 1 0 3を搬送するように回動制御され る
    [0018] なお、 上記ディスク基板 1 0 3は、 上記搬送テーブル 1 0 8に形 成された凹部に嵌合配設されるディスク載置台 1 0 8 b上に載置さ れている。 また、 上記ディスク入出口 1 0 7 aには、 真空槽 1 0 7 の真空状態を保持するための蓋部 1 1 1 が設けられている。
    [0019] このスパッタリ ング装置においては、 上記ディスク入出口 1 0 7 aは、 真空槽 1 0 7の底面より内部に突出して設けられる突き上げ 軸 1 0 9 , 1 1 0の操作により、 上記ディスク載置台 1 0 8 b と上 記蓋部 1 1 1 との少なく ともいずれか一方により閉蓋された状態と なされる。 したがって、 上記真空槽 1 0 7内への大気の侵入を防止 した状態で上記ディスク基板 1 0 3の上記真空槽 1 0 7への搬入及 び搬出を行う ことができる。
    [0020] ところで、 上述のような第 2 6図により示したスパッタ リ ング装 置においては、 スパッ夕リ ング処理自体の処理時間を短縮しても、 ディスク基板をスパッタ リ ング装置に搬入して搬出されるまでの時 間が非常に長く、 装置内での滞留時間を短縮することが難しい。 ま た、 スパッ夕リ ング処理に要する時間に対して滞留時間が長いと、 装置内に多くのディスク基板が滞留することとなり、 装置自体が大 型化し、 設置ペースも大型かしてしまう。 さらには、 真空槽の容積 が増大するため、 この真空槽の十分な減圧状態を保証し良好なスパ ッ夕リ ング処理を行う必要性から大きな排気ポンプを使用しなけれ ばならず、 装置の大型化を避けることできない。
    [0021] また、 このスパッタリ ング装置においては、 複数の開閉バルブを 用いて真空槽内の減圧状態を維持しているため、 装置構成が複雑で 該装置の製造が困難となる他、 バルブ等の耐久性が低下し装置の保 守が煩雑となる。 例えば、 上記開閉バルブは、 1 0万回程度の開閉 操作を行った後には交換する必要を生じる。
    [0022] また、 前記第 2 7図及び第 2 8図に示したスパッタリ ング装置に おいても、 前記第 2 6図に示したスパッタリ ング装置と同様に、 デ イスクの搬入から搬出までの時間を短縮することが困難であるとと もに、 装置の小型化が望めないばかりか、 装置自体の製造コス トの 低下が図れない。
    [0023] そこで本発明は、 かかる従来の実情に鑑みて提案されたものであ り、 装置構成が簡素であり製造、 保守が容易な小型化されたスパッ 夕リ ング装置を提供するとともに、 単位時間当たりの生産数量の大 幅な増加が望める生産性に優れたスパッ夕 リ ング装置を提供するこ とを目的とする。
    [0024] さらに本発明は、 各スパッタ リ ング装置のスパッタ リ ング電源等 の共通機器を兼用可能なものとなし、 装置のコス トの低減が図れる とともに、 単位時間当たりの生産数量のより一層の増加が望める極 めて生産性の高いスパッ夕 リ ング処理システムを提供することを目 的とするものである。 発 明 の 開 示 本発明に係るスパッ夕 リ ング装置は、 被スパッ夕 リ ング処理部材 が出し入れされる開口部とスパッタ リ ング処理部とを有する真空槽 と、 上記真空槽内に配設され、 き由端側に被スパッタ リ ング処理部 材が載置される載置部を有した少なく とも 1以上の回動アームを有 し、 上記回動アームの回動操作により上記被スパッタ リ ング処理部 材を上記開口部と上記スパッタ リ ング処理部とに亘つて移送操作す る移送手段とを備えてなるものである。
    [0025] さらに本発明のスパッ夕 リ ング処理システムは、 上記スパッ夕 リ ング装置を少なく とも 2以上並べて設け、 一方のスパッタ リ ング装 置でスパッタリ ング処理が終了し次のスパッタ リ ング処理が行われ る間に、 他のスパッ夕 リ ング装置でスパッタ リ ング処理が行われる ように構成されたものである。
    [0026] 本発明に係るスパッタ リ ング装置においては、 被スパッ夕 リ ング 処理部材は、 真空槽内に設けられた回動アームの自由端側の載置部 に載置されて上記真空槽の開口部とスパッ夕 リ ング処理部とに亘っ て移送操作される。 したがって、 真空槽内に滞留するディスク基板 の数は回動アームの数に対応した数、 つまり回動アームが 1本の場 合には、 1枚のディスク基板となり、 ディスク基板の真空槽内での 滞留時間が大幅に短縮される。 また、 真空槽の大きさも回動アーム の回動範囲で済み、 装置の小型化が望める。
    [0027] また、 本発明に係るスパッ夕リ ング処理システムにおいては、 上 記スパッタ リ ング装置が 2以上並べて設けられ、 一方のスパッ夕 リ ング装置でスパッタ リ ング処理が終了し、 次のスパッタ リ ング処理 が行われる間に他のスパッ夕リ ング装置でスパッタリ ング処理が行 われるようになされているので、 2台のスバッタ リ ング装置が同時 にスパッ夕 リ ング処理をするようなことはない。 このため、 一方の 装置でスパッタ リ ング処理が行われない空時間に他方の装置でスパ ッ夕 リ ング処理が行われるので、 それぞれに設けられるスパッ夕 リ ング電源や真空計等の兼用化が望めるとともに、 単位時間当たりの 製造数量が増加する。 図面の簡単な説明 第 1 図は本発明に係るスパッタリ ング装置が適用される光ディス ク製造装置を示す外観斜視図である。
    [0028] 第 2図は上記光ディスク製造装置の真空槽の縱断面図である。 第 3図は上記真空槽の横断面図である。
    [0029] 第 4図は上記光ディスク製造装置の真空槽にディスク基板を投入 する状態を示す縦断面図である。
    [0030] 第 5図は上記光ディスク製造装置の真空槽にディスク基板の投入 を完了させた状態を示す縦断面図である。
    [0031] 第 6図は上記光ディスク製造装置の真空槽内のスパッタ リ ング処 理部にディスク基板を搬送させた状態を示す縱断面図である。
    [0032] 第 7図はディスク基板に対するスパッタ リ ング処理中の状態を示 す上記光ディスク製造装置の真空槽の縦断面図である。
    [0033] 第 8図はスパッタ リ ング処理の完了時の状態を示す上記光ディス ク製造装置の真空槽の縦断面図である。
    [0034] 第 9図はディスク基板のディスク入出口への搬送が完了した状態 を示す上記光ディスク製造装置の真空槽の縱断面図である。
    [0035] 第 1 0図はディスク基板を取出す状態を示す上記光ディスク製造 装置の真空槽の縱断面図である。
    [0036] 第 1 1 図は上記光ディスク製造装置の真空槽の他の例を示す横断 面図であり、 第 1 2図はその真空槽の縦断面図である。
    [0037] 第 1 3図は上記光ディスク製造装置の真空槽のさらに他の例を示 す縱断面図である。
    [0038] 第 1 4図は光ディスク製造装置の他の例を示す真空槽の縱断面図 であり、 第 1 5図はその真空槽の横断面図である。
    [0039] 第 1 6図は上記他の例の光ディスク製造装置の真空槽にディスク 基板の投入を行う状態を示す縦断面図である。
    [0040] 第 1 7図は上記光ディスク製造装置の真空槽にディスク基板の投 入を完了させた状態を示す縦断面図である。
    [0041] 第 1 8図は上記光ディスク製造装置の真空槽内のスパッタ リ ング 処理部にディスク基板を搬送させた状態を示す縱断面図である。 第 1 9図はディスク基板に対するスパッタ リ ング処理中の状態を 示す上記光ディスク製造装置の真空槽の縱断面図である。 第 2 0図はスパッ夕 リ ング処理の完了時の状態を示す上記光ディ スク製造装置の真空槽の縱断面図である。
    [0042] 第 2 1 図はディスク基板のディスク入出口への搬送が完了した状 態を示す上記光ディスク製造装置の真空槽の縱断面図である。
    [0043] 第 2 2図はディスク基板を取出す状態を示す上記光ディスク製造 装置の真空槽の縱断面図である。
    [0044] 第 2 3図は本発明に係るスパッタリ ング処理システムの一例を示 す外観斜視図であり、 第 2 4図はその横断面図である。
    [0045] 第 2 5図 （ a ) は本発明に係るスパッ夕 リ ング処理システムによ りスパッ夕 リ ング処理を行う手順の一例を示すタイ ミ ングチャー ト 図であり、 第 2 5図 （b ) は真空ポンプの作動タイ ミ ングを示す夕 イ ミ ングチャー ト図であり、 第 2 5図 （ c ) はスパッタ リ ング電源 の作動タイ ミ ングを示すタイ ミ ングチャー ト図である。
    [0046] 第 2 6図は従来のスパッタ リ ング装置の一例を示す横断面図であ 第 2 7図はさらに従来のスパッ夕リ ング装置の他の例を示す横断 面図であり第 2 8図はその縱断面図である。 発明を実施するための最良の形態 以下、 本発明を適用した具体的な実施例について図面を参照しな がら説明する。
    [0047] なお、 本実施例は、 本発明に係るスパッタリ ング装置を、 ポリ力 ーボネー トやアタ リルの如き合成樹脂により形成されたディスク基 板にアルミ二ゥムの如き金属材料からなる薄膜をスパッタリ ングに より形成して光ディスクを製造する光ディスク製造装置に適用した 例である。 まず、 被スパッ夕 リ ング処理部材をディスク入出口とスパッタ リ ング処理部とに亘り移送操作させる回動アームを 2本用い、 これを 回動軸方向に所定距離離間して配設し、 これら回動アームの移送操 作によりディスク基板に対してスパッタ リ ング処理を連続的に行う ように構成したスパッタ リ ング装置を備えた光ディスク製造装置の 例を挙げて説明する。
    [0048] この光ディスク製造装置は、 第 1 図に示すように、 方形状の筐体 1 内に、 真空槽 2 とこの真空槽 2の下に設けられる真空ポンプ （図 示は省略する。 ） 等から構成される排気系とを収容している。
    [0049] 上記真空槽 2は、 第 2図及び第 3図に示すように、 真空ポンプに より内部が所定の減圧状態に維持されるように構成されている。 こ の真空槽 2の上面部側には、 被スパッタ リ ング処理部材となるディ スク基板及びスバッ夕 リ ング処理の完了したディスク基板を揷脱す るための開口部であるディスク入出口 3 と、 上記ディスク基板に対 してスパッ夕 リ ング処理を行うスパッタ リ ング処理部 4 とが並列配 置されている。
    [0050] 上記ディスク入出口 3は、 この入出口 3を介して揷脱されるディ スク基板の形状に対応して該ディスク基板の外形寸法より もやゃ大 径の円形状に形成されている。 このディスク入出口 3の上方側には、 該ディスク入出口 3を開閉自在となす円盤状の蓋体 5が設けられて いる。 この蓋体 5は、 第 2図中矢印 Aで示すように、 図示しない支 持機構により上記真空槽 2に対して接離操作されるように支持され ており、 上記真空槽 2側に移動されて上記ディスク入出口 3の開口 周縁部を圧接支持することにより、 該ディスク入出口 3を閉塞する とともに、 上記真空槽 2より離間されることにより、 該ディスク入 出口 3を開放する。 また、 蓋体 5は、 ディスク入出口 5 と対向する 面に吸着パッ ド 5 bが取付けられており、 この吸着パッ ド 5 bでデ ィスク基板を吸着してディスク入出口 5への該ディスク基板の出し 入れを行うように構成されている。
    [0051] なお、 上記蓋体 5の下面部の周縁側には、 この蓋体 5の周縁部が 上記ディスク入出口 3の開口周縁部に当接されたときに上記真空槽 2内が気密状態に保たれるように、 いわゆる 0—リ ング等の密閉部 材 5 aが取付けられている。
    [0052] 上記スパッ夕リ ング処理部 4は、 上記ディスク入出口 3 と同様に 形成されたディスク処理口 6 と、 このディスク処理口 6の上方側を 覆うように上記真空槽 2に取付けられて当該真空槽 2内を気密状態 に保つ処理部 7を有している。 この処理部 7は、 上端が閉塞された 円筒状として形成され、 スパッ夕リ ング処理に用いられる金属材料 (夕一ゲッ ト） 8を収納支持し、 内部にはスパッタリ ング処理に必 要なアルゴン等の放電用のガスが低圧状態で封入されるとともに、 所定の電界が印加されるように構成されている。
    [0053] そして、 上記真空槽 2内には、 移送手段を構成する対をなす第 1 及び第 2の回動アーム 9 , 1 0が設けられている。 これら回動ァ一 ム 9 , 1 0は、 それぞれの基端側を対をなす第 1及び第 2の回動軸 1 1 , 1 2に支持されて、 当該回動軸 1 1， 1 2の軸方向と略直交 する水平方向に回動自在となされている。 これら回動軸 1 1 , 1 2 は、 それぞれ上記ディスク入出口 3 と上記スパッタ リ ング処理部 4 とから等距離となる位置に、 相対向して配置され、 軸方向が略垂直 となされている。 これら回動軸 1 1 , 1 2は、 それぞれ上記真空槽 2の底面部に設けられた揷通孔 （図示は省略する。 ） を介して該真 空槽 2の下方側に突出されており、 この下方側の部分を図示しない 駆動装置により回動操作されて、 上記各回動アーム 9 , 1 0 ととも に軸回り方向に回動操作される。 そして、 上記各回動アーム 9 , 1 0は、 互いに上記各回動軸 1 1 , 1 2の軸方向に、 それぞれが回動 されたときに互いに当接しない程度の距離だけ離間させられて設け られている。 すなわち、 これら回動アーム 9 , 1 0が回動操作され るとき、 それぞれの回動アーム 9 , 1 0の移動軌铱が互いに各回動 軸 1 1 , 1 2の軸方向に離間させられているので、 これら回動ァー ム 9 , 1 0は、 回動途中において互いに当接することがない。
    [0054] なお、 上記回動軸 1 1， 1 2 と上記揷通孔との間には、 真空槽 2 内の気密状態を維持するために、 いわゆる 0— リ ング等の気密部材 が設けられている。 したがって、 上記真空槽 2内の真空状態が保持 される。
    [0055] 上記回動アーム 9 , 1 0の自由端側となる先端側の上面部には、 ディスク基板を載置させるための円形状の位置決め凹部 9 a , 1 0 aが形成されている。 これら凹部 9 a , 1 0 bには、 ディスク基板 のセンタ一孔を固定することで該ディスク基板を位置決め固定する 載置台 1 3 , 1 4が嵌合載置されるようになっている。 上記載置台
    [0056] 1 3 , 1 4 は、 ディスク基板の外形寸法よりやや大径の円盤状とし て形成され、 中央部に上記ディスク基板のチヤ ッキング用のセンタ 一孔を揷通させることで固定させる位置決め突起 1 3 a , 1 4 aが 突設されてなっている。 したがって、 上記ディスク基板は、 載置台 1 3 , 1 4 に固定された状態で上記位置決め凹部 9 a , 1 0 aに嵌 合し、 上記各回動アーム 9， 1 0に対して位置決めされて載置され る。 また、 上記各位置決め凹部 9 a , 1 0 aの底部の中央部には、 上記載置台 1 3， 1 4を突き上げるための突き上げ軸を揷通させる 突き上げ軸揷通孔 9 b， 1 0 bが穿設されている。 したがって、 こ れら突き上げ軸揷通孔 9 b , 1 O bを介して、 上記各回動アーム 9， 1 0に載置された各載置台 1 3 , 1 4の底面部の中央部が、 上記各 回動アーム 9 , 1 0の下方側に臨まされている。 これら載置台 1 3 , 1 4は、 上記各回動アーム 9 , 1 0が、 第 3図中に矢印 Sで示す例 えば 9 00 程度の角度で回動操作されることにより、 上記ディスク 入出口 3の下方の位置と上記スパッタ リ ング処理部 4の下方の位置 とに亘り移動操作される。
    [0057] そして、 上記真空槽 2の底面部には、 上記ディスク入出口 3及び 上記ディスク処理口 6にそれぞれ対向するように、 移送手段を構成 する入出口側及び処理口側の一対の突き上げ装置 1 5 , 1 6が取付 けられている。 これら突き上げ装置 1 5， 1 6は、 それぞれ突き上 げ軸 1 5 a， 1 6 aを略垂直に支持してなり、 これら突き上げ軸 1 5 a , 1 6 aを上記真空槽 2の底面部に設けられた透孔 （図示は省 略する。 ） を介して該真空槽 2内に臨ませている。 これら突き上げ 装置 1 5 , 1 6は、 図示しない制御手段に制御されることにより、 上記各突き上げ軸 1 5 a , 1 6 aを、 第 2図中矢印 Bで示すように、 上下方向に進退操作するように構成されている。 上記各突き上げ軸 1 5 a , 1 6 aは、 上記各回動アーム 9 , 1 0の先端側がそれぞれ 上記ディスク入出口 3及び上記ディスク処理口 6に対向する位置と なされているときに、 上記突き上げ装置 1 5， 1 6により突出操作 され、 上記突き上げ軸揷通孔 9 b , 1 0 bを介して上記各載置台 1 3 , 1 の底面部に先端部を当接させる。 これら突き上げ軸 1 5 a , 1 6 aがさらに突出操作されると、 これら突き上げ軸 1 5 a， 1 6 aは、 上記各載置台 1 3， 1 4を上方に移動させて、 これら載置台 1 3 , 1 4の上面部の周縁を上記ディスク入出口 3及び上記ディス ク処理口 6の開口周縁に圧接支持させる。 これら載置台 1 3， 1 4 の上面部の周縁側には、 いわゆる 0 — リ ング等の密閉部材 1 3 b， 1 4 bが設けられており、 これら載置台 1 3， 1 4の上面部の周縁 が上記ディスク入出口 3及び上記ディスク処理口 6の開口周縁に圧 接されたときに、 上記真空槽 2内及び上記スパッタ リ ング処理部 4 内の気密状態が維持されるようになされている。
    [0058] このように構成された光ディスク製造装置においては、 ディスク 基板のディスク入出口 3 とディスク処理口 6 とに亘る移送操作を 2 本の回動アーム 9， 1 0によりその振り角を小さなものとして行う ため、 真空槽 2を小型化することができる。 したがって、 設置面積 を小さなものとすることができる他、 真空槽 2内の容積をより小さ なものとすることができる。 また、 これにより排気を行う真空ボン プを小型化することができるとともに、 その排気時間も短縮される。 上記光ディスク製造装置により、 光ディスクを製造するには、 次 のようにして行う。
    [0059] まず、 第 4図に示すように、 前記各突き上げ装置 1 5 , 1 6 によ り、 同図中矢印 Cで示すように、 上記各載置台 1 3 , 1 4を上方に 移動させ、 これら載置台 1 3 , 1 4により上記ディスク入出口 3及 び上記ディスク処理口 6を閉塞するようにする。 そして、 上記蓋体 5を上記真空槽 2より雜間させて、 上記第 1 の載置台 1 3の上面側 を上記ディスク入出口 3を通して上方に臨ませ、 第 1 のディスク基 板 を上記第 1 の載置台 1 3上に位置決めして載置する。
    [0060] 次に、 第 5図に示すように、 上記蓋体 5を下方に移動させて当該 蓋体 5により上記ディスク入出口 3を閉蓋し、 これと同時に真空ポ ンプを作動して真空槽 2内を所定の減圧状態に保つ。
    [0061] このとき、 本例の装置においては、 真空槽 2の容積が小さなもの となっているため、 瞬時に所定の減圧状態となる。
    [0062] そして、 上記各突き上げ軸 1 5 a， 1 6 aを、 同図中矢印 Eで示 すように、 上記各突き上げ装置 1 5， 1 6側に没入させて、 上記各 載置台 1 3， 1 4を下方に移動させ、 これら載置台 1 3 , 1 4を上 記各回動アーム 9 , 1 0の先端側に載置させる。
    [0063] 上記各載置台 1 3 , 1 4が上記各回動アーム 9 , 1 0の先端側に 載置されたならば、 これら回動アーム 9 , 1 0を、 第 3図中矢印 F 及び矢印 Gで示すように、 互いに重なり合う方向に回動させる。 そ して、 第 6図に示すように、 上記第 1 の載置台 1 3に載置された第 1 のディスク基板 D , を上記ディスク処理口 6の下方に位置させる とともに、 上記第 2の載置台 1 4を上記ディスク入出口 3の下方に 位置させる。
    [0064] 上記各載置台 1 3， 1 4がそれぞれ所定の位置に位置決めされた ならば、 第 7図に示すように、 上記各突き上げ装置 1 5 , 1 6によ り、 同図中矢印 Hで示すように、 上記各載置台 1 3 , 1 4を上方に 移動させて、 これら載置台 1 3 , 1 4により上記ディスク処理口 6 及び上記ディスク入出口 3を閉塞するようにする。 このとき、 上記 第 1 のディスク基板 は、 上記ディスク処理口 6を介して上記ス バッ夕 リ ング処理部 4に臨んでいる。 ここで、 上記第 1 のディスク基板 に対するスパッ夕 リ ング処 理が開始される。
    [0065] 一方、 上記第 1 のディスク基板 D , に対するスパッタ リ ング処理 が行われているとき、 上記ディスク入出口 3側では、 上記蓋体 5を 上記真空槽 2より離間させて上記第 2の載置台 1 4の上面側を上記 ディスク入出口 3を介して上方に臨ませ、 新たな第 2のディスク基 板 D 2 を上記第 2の載置台 1 4の上面に位置決めして載置する。 そ して、 上記蓋体 5により上記ディスク入出口 3を閉蓋して上記真空 槽 2内を所定の減圧度に保っために真空ポンプを作動させる。 これ らの操作は、 上記第 1 のディスク基板 D , に対するスパッタ リ ング 処理の終了と略同時に終了する。
    [0066] 上記第 1 のディスク基板 D j に対するスパッタ リ ング処理が終了 したならば、 第 8図に示すように、 上記各突き上げ軸 1 5 a， 1 6 aを、 同図中矢印 Iで示すように、 上記各突き上げ装置 1 5， 1 6 側に没入させて、 上記各載置台 1 3 , 1 4を下方に移動させ、 これ ら載置台 1 3 , 1 4を上記各回動アーム 9 , 1 0の先端側に載置さ せる。
    [0067] 上記各載置台 1 3 , 1 4が上記各回動アーム 9 , 1 0の先端側に 載置されたならば、 これら回動アーム 9 , 1 0を互いに重なり合う 方向 （先の操作方向と逆の操作方向） に回動させる。 そして、 第 9 図に示すように、 第 1 の載置台 1 3に載置されたアルミニウムより なる薄膜が形成された第 1 のディスク基板 D , を上記ディ スク入出 口 3の下方に位置させるとともに、 上記第 2の載置台 1 4に載置さ れた上記第 2のディスク基板 D 2 を上記ディスク処理口 6の下方に 位置させる。 上記各載置台 1 3 , 1 4がそれぞれ所定の位置に位置決めされた ならば、 第 1 0図に示すように、 上記各突き上げ装置 1 5 , 1 6に より、 同図中矢印 Jで示すように、 上記各載置台 1 3， 1 4を上方 に移動させて、 これら載置台 1 3 , 1 4により上記ディスク入出口 3及び上記ディスク処理口 6を閉塞するようにする。 このとき、 上 記第 2のディスク基板 D 2 は、 上記ディスク処理口 6を介して上記 スパッ夕リ ング処理部 4に臨んでいる。
    [0068] ここで、 上記第 2のディスク基板 D 2 に対するスパッタ リ ング処 理が開始される。
    [0069] 一方、 上記第 2のディスク基板 D 2 に対するスパッタ リ ング処理 が行われているときには、 先に説明したように上記ディスク入出口 3側では、 上記蓋体 5を上記真空槽 2より離間させ、 上記第 1 の載 置台 1 3に載置された上記第 1 のディスク基板 を上記ディスク 入出口 3を介して上記真空槽 2 より取り出すとともに、 新たな第 3 のディスク基板 D 3 を上記第 1 の載置台 1 3の上面に位置決めして 載置する。 そして、 上記蓋体 5により上記ディスク入出口 3を閉蓋 して上記真空槽 2内を所定の減圧状態に保っために真空ポンプを作 動させる。 これらの操作は、 上記第 2のディスク基板 D 2 に対する スパッ夕 リ ング処理の終了と略同時に終了する。
    [0070] このようにして製造される光ディスクは、 ディスク基板を装置に 投入してからスパッ夕 リ ング処理されて取り出されるまでにわずか 6秒で製造される。 したがって、 本実施例の光ディスク製造装置に よれば、 単位時間当たりの製造数量を増加させることができ、 大幅 な生産性の向上が期待できる。
    [0071] なお、 上述の光ディスク製造装置は、 回動アーム 9 , 1 0を支持 する回動軸 1 1 , 1 2を軸方向で所定間隔に離間して配設したが、 例えば第 1 1 図及び第 1 2図に示すように、 上記各回動アーム 9 , 1 0を支持する回動軸 1 7 , 1 8を同一軸上に設けるようにしても よい。 この場合には、 上記各回動アーム 9 , 1 0を支持する各回動 軸 1 7， 1 8のうち、 一方を上記真空槽 2の下方側に延設し、 他方 を上記真空槽 2の上方側に延設するように構成する。 この光デイス ク製造装置においても、 上述した光ディスク製造装置と同様に、 上 記真空槽 2内に滞留するディスク基板が 2枚となされるため、 当該 真空槽 2の小型化が図れる。
    [0072] またこの他、 第 1 3図に示すように、 回動軸 1 9 , 2 0の一方を 中空状の円筒形状となし、 この一方の回動軸 2 0の中空部に他方の 回動軸 1 9が嵌入配設されるように構成してもよい。 このように構 成した光ディスク製造装置においても、 上述した光ディスク製造装 置と同様に、 上記真空槽 2の小型化を図ることができる。
    [0073] 次に、 被スパッ夕 リ ング処理部材をディスク入出口とスパッタ リ ング処理部とに亘り移送操作させる回動アームを 1本とし、 この回 動アームの移送操作によりディスク基板に対してスパッタ リ ング処 理を連続的に行うように構成した例を挙げて説明する。
    [0074] なお、 この例においては、 前述した光ディスク製造装置と同一構 成部材には同一の符号を付し、 その説明は省略する。
    [0075] この光ディスク製造装置は、 第 1 4図及び第 1 5図に示すように、 真空槽 2 1 内でディスク基板をディスク入出口 3 とスパッタ リ ング 処理部 4 とに亘り移送操作させる回動アーム 2 2が 1本とされ、 こ の回動アーム 2 2が真空槽 2 1 内に突出して設けられた回動軸 2 3 の先端に基端側をボルト止めして固定されて当該回動軸 2 3 ととも に軸回り方向に回動操作されるようになつている。
    [0076] 上記真空槽 2 1 は、 前述した装置の真空槽 2 とは異なり、 面動ァ ーム 2 2が回動する領域， 例えば第 1 5図中矢印 0で示す 9 0 ° 程 度の角度でアームが振られる領域が扇形状にく り抜かれて形成され、 この中空部を塞ぐようにしてディスク入出口 3 とディスク処理口 6 を有する真空蓋 2 1 aが取付けられてなっている。 したがって、 こ の真空槽 2 1 においては、 回動アーム 2 2が 1本であること、 該回 動アーム 2 2の回動範囲のみが真空領域となることから、 容積が極 めて小さなものとなっている。 例えば、 その容積は、 回転テーブル を用いた第 2 7図及び第 2 8図に示す真空槽に比べ僅か 1 Z 5以下 の 5 _g となっている。
    [0077] また、 上記真空槽 2 1 の底部の略中央部には、 真空ポンプに接続 されるダク ト 2 4が設けられ、 ここから真空槽 2 1 内の排気がされ るようになっている。 この排気は、 ディスク基板の出し入れに際し て蓋体 5によりディスク入出口 3が閉蓋された後直ちに行われるが、 このときダク ト 2 4は回動アーム 2 2によって塞がれることのない 真空槽 2 1 の略中央部に設けられているため、 当該真空槽 2 1 内が 瞬時にして所定の減圧状態とされる。 例えば、 その速度は 1秒足ら ずである。
    [0078] 上記回動アーム 2 2は、 ディスク基板を載置する自由端側の先端 部分のみが円盤状とされ、 基端側が先細り形状とされている。 上記 回動アーム 2 2の先端部分には、 ディスク基板のセンタ一孔を固定 して該ディスク基板を位置決め固定する載置台 1 3を嵌合配設する ための位置決め凹部 2 2 aが形成されている。 この凹部 2 2 aの底 部の中央部には、 上記載置台 1 3を突き上げるための突き上げ軸 2 5 , 2 6を挿通させる突き上げ軸揷通孔 2 2 bが穿設されている。 上記突き上げ軸 2 5， 2 6は、 前記ディスク入出口 3 と上記ディ スク処理口 6にそれぞれ対向する真空槽 2 1 の底面部に穿設される 透孔 （図示は省略する。 ） を介して該真空槽 2内に臨まされている。 そして、 これら突き上げ軸 2 5 , 2 6の先端部分には、 前記回動ァ ーム 2 2に穿設された突き上げ軸揷通孔 2 2 bを介して前記載置台 1 3を安定な状態で押し上げるための円盤状の押上部材 2 5 a , 2 6 aが取付けられている。
    [0079] これら突き上げ軸 2 5 , 2 6は、 図示しない制御手段を備えた駆 動装置により、 第 1 4図中矢印 Kで示すように、 上下方向に進退操 作するように構成されている。 上記各突き上げ軸 2 5 , 2 6は、 上 記回動アーム 2 2の先端側がそれぞれ上記ディスク入出口 3及び上 記ディスク処理口 6に対向する位置となされているときに、 前記駆 動装置により突出操作され、 上記突き上げ軸揷通孔 2 2 bを介して 上記載置台 1 3の底面部に押上部材 2 5 a , 2 6 aを当接させる。 これら突き上げ軸 2 5， 2 6がさらに突出操作されると、 これら突 き上げ軸 2 5 , 2 6は、 上記載置台 1 3を上方に移動させて、 これ ら載置台 1 3の上面部の周縁を上記ディスク入出口 3及び上記ディ スク処理口 6の開口周縁に圧接支持させる。 このとき、 載置台 1 3 の上面部の周縁側には、 いわゆる 0 — リ ング等の密閉部材 1 3 わが 設けられているため、 上記真空槽 2 1 内及びスパッタ リ ング処理部 4内の気密状態が維持されるようになされている。
    [0080] なお、 上記した部材以外の部材については、 先の実施例の装置と 同じであるため、 その説明は省略する。
    [0081] このように構成された光ディスク製造装置においては、 ディスク 基板のディスク入出口 3 とディスク処理口 6 とに亘る移送操作を 1 本の回動アーム 2 2によりその振り角を小さなものとして行うため、 真空槽 2 1 をより一層小型化することができるとともに、 その容積 を極めて小さなものとすることができる。 したがって、 設置面積を 少なくすることができる他、 真空ホンプを小さなものとすることが でき、 瞬時にして所定の減圧状態とすることができる。 また、 回動 アーム 2 2を 1本とし、 ダク ト 2 4を回動アーム 2 2により塞がれ ることのない位置に設けているため、 真空槽 2 1 内での真空度のバ ラツキをなくすことができる。
    [0082] 上記光ディスク製造装置により、 光ディスクを製造する工程を以 下に説明する。
    [0083] まず、 第 1 6図に示すように、 ディスク入出口 3に対応して設け られる突き上げ軸 2 5を、 同図中矢印 Mで示すように突出させ、 前 記回動アーム 2 2上に載置される載置台 1 3を上方に移動させて当 該載置台 1 3により上記ディスク入出口 3を閉塞する。 そして、 上 記蓋体 5を真空槽 2 1 より離間させて、 載置台 1 3の上面側を上記 ディスク入出口 3を通して上方に臨ませ、 ディスク基板 D 4 を上記 載置台 1 3上に位置決めして載置する。
    [0084] 次に、 第 1 7図に示すように、 上記蓋体 5を下方に移動させて当 該蓋体 5により上記ディスク入出口 3を閉蓋し、 これと同時に真空 ポンプを作動させ真空槽 2 1 内を所定の減圧度， 例えば、 5 X 1 0 _3 T 0 r r に保つ。
    [0085] このとき、 本例の真空槽 2 1 においては、 容積が極めて小さなも のとなつていることから、 瞬時に所定の真空度とすることができる。 例えば、 その時間は僅か 1秒足らずである。 そして、 上記突き上げ軸 2 5を、 同図中矢印 Nで示すように、 真 空ポンプ等が設けられる側に没入させて、 上記載置台 1 3を下方に 移動させ、 当該載置台 1 3を上記回動アーム 2 2の先端側に載置さ せる
    [0086] 上記載置台 1 3が上記回動アーム 2 2の先端側に載置されたなら ば、 回動アーム 2 2を、 第 1 5図中矢印 L , で示すスパッ夕 リ ング 処理部 4方向へ回動させる。 そして、 第 1 8図に示すように、 上記 載置台 1 3 に載置されたディスク基板 D 4 を上記ディスク処理口 6 の下方に位置させる。
    [0087] 上記載置台 1 3が位置決めされたならば、 第 1 9図に示すように、 この載置台 1 3の下方に設けられる突き上げ軸 2 6を、 同図中矢印 0で示すように突出させ、 上記載置台 1 3を上方に移動させて、 当 該載置台 1 3により上記ディスク処理口 6を閉塞する。 このとき、 上記ディスク基板 D 4 は、 上記ディスク処理口 6を介して上記スパ ッタ リ ング処理部 4に臨んでいる。
    [0088] ここで、 上記ディスク基板 D 4 に対するスパッ夕 リ ング処理が開 始される。 スパッタ リ ング処理は、 例えばほんの 2秒程度で終了す る
    [0089] スパッタ リ ング処理が終了したならば、 第 2 0図に示すように、 上記突き上げ軸 2 6を、 同図中矢印 Pで示すように、 真空ポンプ等 が設けられる側に没入させて、 上記載置台 1 3を下方に移動させ、 当該載置台 1 3を上記回動アーム 2 2の先端側に載置させる。
    [0090] 上記載置台 1 3が上記回動アーム 2 2の先端側に載置されたなら ば、 回動アーム 2 2を第 1 5図中矢印 L 2 で示すディスク入出口 3 方向へ回動させる。 そして、 第 2 1図に示すように、 アルミニウム よりなる薄膜が形成されたディスク基板 D 4 を載置した載置台 1 3 を上記ディスク入出口 3の下方に位置させる。
    [0091] 上記載置台 1 3がそれぞれ所定の位置に位置決めされたならば、 第 2 2図に示すように、 上記突き上げ軸 2 5を同図中矢印 Qで示す ように突出させ、 上記載置台 1 3を上方に移動させて、 当該載置台 1 3により上記ディスク入出口 3を閉塞する。
    [0092] そして、 上記蓋体 5を上記真空槽 2 1 より離間させ、 上記載置台 1 3に載置されたディスク基板 D 4 を上記ディスク入出口 3を介し て上記真空槽 2 1 より取り出すとともに、 新たなディスク基板 D 5 を上記載置台 1 3の上面に位置決めして載置する。
    [0093] この後は、 前述した工程を順次操り返してディスク基板を連続的 にスパッタ リ ングする。
    [0094] このように、 本実施例の光ディスク製造装置を用いて光ディスク を製造すれば、 特に真空槽 2 1 が極めて小さなものとされていこ と から、 スパッ夕リ ング処理に要する時間以外の時間を短縮すること ができ、 これによりディスク基板を装置に投入してから取り出され るまでの 1サイクルの時間を大幅に短縮することが可能となる。 し たがって、 単位時間当たりの製造数量を増加させることができ、 生 産性の向上が期待できる。
    [0095] 次に、 前述したいずれかの例の光ディスク製造装置を 2以上を連 結配置して、 スパッタリ ング処理システムとして構成し、 各光ディ スク製造装置で行うスパッタ リ ング処理の空時間を利用してランダ ムにスパッタリ ング処理を行うように構成した例を挙げて説明する。 なお、 この例では、 前述した第 2番目の例の光ディスク製造装置 を 2つ並べて配置してスパッ夕リ ング処理システムを構成したもの でめる。
    [0096] すなわち、 このスパッタ リ ング処理システムは、 前述の光ディス ク製造装置 2 7 , 2 8を第 2 3図及び第 2 4図に示すように並列し て配置して構成され、 一方の装置 2 7でスパッ夕 リ ング処理が終了 し、 次のスパッタ リ ング処理が行われる間に、 他の装置 2 8でスパ ッタ リ ング処理を行うように構成されている。
    [0097] この動作を例えば、 第 2 5図 （ a ) に示すタイ ミ ングチャー トを 一例として説明する。 また、 このタイ ミ ングチャー トと対応して各 装置における真空度を第 2 5図 （b ) に、 スパッタパスを第 2 5図 ( c ) にそれぞれ示す。
    [0098] まず、 一方の装置 2 7では、 真空ポンプを作動させて真空槽 2 1 内を所定の減圧状態とする （第 1 7図参照。 ） 。 この動作を第 2 5 図 （ a ) 中矢印 aで示す時間内に行う。
    [0099] 次に、 ディスク入出口 3側の突き上げ軸 2 5を真空ポンプ等が設 けられる側に没入させて載置台 1 3を回動アーム 2 2の先端側に載 置させる （第 1 7図参照） 。 この動作を第 2 5図 （ a ) 中矢印 bで 示す時間内に行う。
    [0100] 続いて、 回動アーム 2 2をスパッタ リ ング処理部 4側へ回動操作 させ、 ディスク基板 D 4 をディスク処理口 6の下方に位置させる (第 1 8図参照） 。 この動作を第 2 5図 （ a ) 中矢印 cで示す時間 内に行う。
    [0101] 次に、 ディスク処理口 6側の突き上げ軸 2 6を突出させ、 載置台 1 3を上方に移動させて、 当該載置台 1 3によりディスク処理口 6 を閉塞する （第 1 9図参照） 。 この動作を第 2 5図 （ a ) 中矢印 dで示す時間内に行う。 そしてこの間に、 所定の真空度となった時点， すなわち第 2 5図 (b) 中点 Aで示す点を検出し、 これと同時に第 2 5図（c) で示すよ うにスパッタ リ ング電源を入れ、 所定電圧に保持する。
    [0102] 次に、 上記ディスク基板 D 4 に対してスパッタ リ ング処理を行う (第 1 9図参照。 ） 。 この動作を第 2 5図 （ a ) 中矢印 eで示す時 間内に行う。
    [0103] スパッ夕 リ ング処理が終了したと同時に、 今度はスパッタリ ング 電源を切り、 電圧を下げる。
    [0104] 次に、 ディスク処理口 6側の突き上げ軸 2 6を真空ポンプ等が設 けられる側に没入させて、 載置台 1 3を上記回動アーム 2 2の先端 側に載置させる （第 2 0図参照） 。 この動作を第 2 5図 （ a ) 中矢 印 f で示す時間内に行う。
    [0105] 次に、 回動アーム 2 2をディスク入出口 3側へ回動操作させ、 ス パッ夕リ ングされたディスク基板 D 4 をディスク入出口 3の下方に 位置させる （第 2 1 図参照） 。 この動作を第 2 5図 （ a ) 中矢印 gで示す時間内に行う。
    [0106] 次に、 ディスク入出口 3側の突き上げ軸 2 5を突出させ、 載置台 1 3を上方に移動させて、 当該載置台 1 3によりディスク入出口 3 を閉塞する （第 2 2図参照） 。 この動作を第 2 5図 （ a ) 中矢印 hで示す時間内に行う。
    [0107] 最後に、 蓋体 5を真空槽 2 1 より離間させ、 ディスク基板 D 4 を 該真空槽 2 1外に取り出す （第 2 2図参照） 。 この動作を第 2 5図 ( a ) 中矢印 i で示す時間内に行う。
    [0108] 一方、 他方の装置 2 8では、 先の装置 2 7でスパッタ リ ング処理 を終了した次の動作、 すわなちディスク処理口 6側の突き上げ軸 2 6を真空ポンプ等が設けられる側に没入して、 載置台 1 3を上記回 動アーム 2 2の先端側に載置させる動作 （第 2 5図（a) 中矢印 f で 示す時間内に行う動作） から始め、 順次上述の動作を繰り返す。
    [0109] すると、 この装置 2 8では、 先のスパッタ リ ング処理が終了し、 次のスパッタ リ ング処理が行われる間に、 スパッ夕 リ ング処理を行 う準備、 すなわち第 2 5図（b) 中点 Bで示す所定の真空度に達した 点を検出して、 これと同時に第 2 5図（c) に示すようにスパッタ リ ング電源を入れ、 所定電圧に保持する。 そしてこの間にスパッタ リ ング処理を行う。
    [0110] なおこの例では、 一方の装置 2 7でスパッタ リ ング処理されたデ ィスク基板 D 4 をディスク入出口 3に移送させる間にスパッタ リ ン グ処理を行っているが、 ここでのスパッ夕 リ ング処理は、 一方の装 置 2 7でスパッタ リ ング処理が終了し、 次のスパッタ リ ング処理が される間に行えばよいので、 上記一方の装置 2 7でスパッ夕 リ ング 処理を終了したのと同時に行うようにしてもよい。
    [0111] このように各装置 2 7 , 2 8のスパッタ リ ング処理の空時間を利 用してスパッタ リ ング処理をランダムに行うようにすることで、 こ れら各装置 2 7 , 2 8の共通機器， 例えばスパッタ リ ング電源や真 空計等を重複しない範囲で兼用することができる。 また、 上述のよ うに構成することで、 装置 2 7 , 2 8のより一層の小型化が望める とともに、 装置の大幅なコス トダウンが図れる他、 各装置 2 7， 2 8を独立して運転することができ、 例え一方の装置が故障あるいは 保守等により停止したとしても製造ラインを中断させることなく、 連続して製造することができる。 さらには、 2台の装置 2 7 , 2 8 を並べてスパッタ リ ング処理を行う ことにより、 単位時間当たりの 生産数量を大幅に向上させることができる。 例えば、 1台の装置で は、 ディスク基板をディスク入出口 3 より搬入させて取り出すまで に 1 サイ クル 6秒要すのを、 本例のシステムでは、 1枚のディスク を 3秒で製造することができる。
    [0112] なお、 この例のシステムでは、 2つの装置を並列して配置した構 成としているが、 本発明においては、 各装置のスパッタ リ ング処理 が重複しない範囲で 3つあるいは 4つ、 さらにはそれ以上の複数台 の装置を並列配置してディスク基板に対しランダムにスパッタ リ ン グ処理を行う こともできる。 また、 本例では、 前述の 2番目の例の 光ディスク製造装置を並べてシステム化したが、 同様に前述の 1番 目の例の光ディスク製造装置を並列配置してシステム化することも できる。 もちろん、 この場合においても、 同様の効果が得られるこ とは言うまでもない。 産業上の利用可能性 本発明に係るスパッタ リ ング装置においては、 被スパッ夕 リ ング 処理部材は、 真空槽内に設けられた回動アームにより真空槽の開口 部とスパッ夕リ ング処理部とに亘り移送操作されるので、 当該真空 槽内に滞留するディスク基板の数は回動アームの数に対応した数と る。
    [0113] したがって、 回動アームの数を数本とすれば、 真空槽内の容積を 小さなものとすることができ、 真空ポンプの小型化が図れるととも に、 装置の小型化が図れる。 また、 被スパッタ リ ング処理部材を移 送する移送手段が回動アームであることから、 装置構成が簡素であ り、 製造、 保守が容易となる。
    [0114] かかるスパッタ リ ング装置を用いて光ディスクを製造すれば、 単 位時間当たりの生産数量を大幅に増加させることができ、 生産性の 向上を図ることができる。
    [0115] —方、 本発明を適用したスパッタ リ ング処理システムにおいては、 本発明に係る小型化された装置を 2以上並べて設け、 一方の装置で スパッタ リ ング処理が終了し次のスパッタ リ ング処理が行われる間 に、 他の装置でスパッタ リ ング処理を行うように構成しているので、 各装置の共通する機器を兼用することができ、 装置のコス トダウン を図ることができる。 また、 装置 1 台で製造する場合に比べて、 単 位時間当たりの製造数量を数倍増加させることができ、 より一層の 大幅な生産性の向上を図ることができる。
    [0116] さらに、 本発明に係るスパッ夕 リ ング処理システムにおいては、 各装置を独立して運転することができるため、 装置の 1台が故障や 保守のために停止したとしても、 他の装置で連続してスパッ夕 リ ン グ処理を行う ことができ、 バッ クアツプ体制がとれる。
    权利要求:
    Claims

    請 求 の 範 囲 l . 被スパッタ リ ング処理部材が出し入れされる開口部とスパッタリ ング処理部とを有する真空槽と、
    上記真空槽内に配設され、 自由端側に被スパッタ リ ング処理部材 が載置される載置部を備えた少なく とも 1以上の回動アームを有し. 上記回動アームの回動操作により上記被スパッタ リ ング部材を上 記開口部と上記スパッタリ ング処理部とに亘つて移送する移送手段 とを備えてなるスパッタ リ ング装置。
    2 . 上記載置部は、 上記回動アームに対して着脱自在に設けられてい ることを特徵とする請求項 1記載のスパッタリ ング装置。
    3 . 上記載置部を上記開口部及び上記スパッタ リ ング処理部におい て昇降させる昇降手段を備えてなる請求項 2記載のスパッ夕 リ ング
    4 . 上記載置部は、 上記昇降手段により上昇させられたときに、 上記 載置部き身により上記開口部及びスパッタ リ ング処理部の処理口を 閉塞するように構成されてなる請求項 3記載のスパッ夕 リ ング装置 <
    5. 上記載置部が上記開口部を上記載置部自身によって閉塞している 状態で被スパッタ リ ング処理部材の交換を行うようにした請求項 4 記載のスパッタ リ ング装置。
    6 . 上記載置部が上記スパッタリ ング処理部の処理口を上記載置部自 身によって閉塞している状態で被スパッタ リ ング処理部材にスパッ タ リ ング処理を行うようにした請求項 4記載のスパッタリ ング装置,
    7 . 上記回動アームに対して、 上記真空槽内で互いに回動方向に所定 距離離間された配設された更に 1 つの回動アームを備えてなる請求 項 1記載のスパッタ リ ング装置。
    8 . 上記 2本の回動アームが略 9 0度の角度で回動操作されるように 構成されてなる請求項 7記載のスパッタ リ ング装置。
    9 . 上記各回動アームは、 一方の回動アームが上記開口部にあるとき、 他方の回動アームが上記スパッタ リ ング処理部にあるように回動操 作されてなる請求項 7記載のスパッタ リ ング装置。
    10. 上記載置部は、 上記回動アームに対して着脱自在に設けられてい ることを特徴とする請求項 9記載のスパッタ リ ング装置。
    1 1 . 上記各回動アームが上記開口部、 上記スパッタ リ ング処理部にあ るときに、 上記各回動アームの載置部を昇降させる昇降手段を備え てなる請求項 9記載のスパッ夕 リ ング装置。
    12. 上記各載置部は、 上記昇降手段によって上昇位置に位置させられ たとき、 上記載置部自身によって上記開口部、 スパッ夕 リ ング処理 部の処理口を閉塞するように構成されなる請求項 1 1記載のスパッ 夕 リ ング装置。
    13. 上記各載置部により上記開口部、 スパッタ リ ング処理部の処理口 が閉塞された状態で、 上記開口部において被スパッタ リ ング処理部 材の交換を行う とともに、 上記スパッタ リ ング処理部において被ス パッタ リ ング部材にスパッタ リ ング処理を施すようにした請求項 1 2記載のスパッ夕 リ ング装置。
    14. 上記各回動アームは同軸上に設けられてなる請求項 7記載のスパ ッタ リ ング装置。
    15. 被スパッ夕 リ ング処理部材が出し入れされる開口部とスパッタ リ ング処理部とを有する真空槽と、 上記真空槽内に配設され、 自由端側に被スパッタ リ ング処理部材 が載置される載置部を備えた少なく とも 1以上の回動アームを有し、 上記回動アームの回動操作により上記被スパッ夕リ ング部材を上 記開口部と上記スパッ夕 リ ング処理部とに亘つて移送する移送手段 とを備えてなるスパッ夕 リ ング装置を少なく とも 2以上並べて設け、 一方のスパッタリ ング装置が非処理状態にあるときに他方のスパッ タ リ ング処理を行うようにしてなるスパッタリ ング処理システム。
    16. 1 のスパッタ リ ング装置でスパッタリ ング処理が終了し次のスパ ッタ リ ング処理が行われる間に、 他のスパッタリ ング装置でスパッ 夕 リ ング処理が行われるように構成されてなる請求項 1 5記載のス パッタ リ ング処理システム。
    17. 1 のスパッタ リ ング装置でスパッタ リ ング処理が終了した被スパ ッ夕 リ ング部材を上記開口部に移送している間に、 他のスパッ夕 リ ング装置でスパッ夕リ ング処理が行われるように構成されてなる請 求項 1 6記載のスパッタリ ング処理システム。
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    同族专利:
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    KR100189675B1|1999-06-01|
    AU638490B2|1993-07-01|
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    AU6339590A|1991-04-18|
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    法律状态:
    1991-04-04| AK| Designated states|Kind code of ref document: A1 Designated state(s): AU KR US |
    1991-04-04| AL| Designated countries for regional patents|Kind code of ref document: A1 Designated state(s): AT DE FR GB NL |
    1991-05-07| WWE| Wipo information: entry into national phase|Ref document number: 1990913554 Country of ref document: EP |
    1991-08-28| WWP| Wipo information: published in national office|Ref document number: 1990913554 Country of ref document: EP |
    1995-11-15| WWG| Wipo information: grant in national office|Ref document number: 1990913554 Country of ref document: EP |
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    JP23749389||1989-09-13||
    JP1/237493||1989-09-13||
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